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IBM攻克5nm晶体管难题:手机续航提升3倍

中关村在线2017/6/5 21:44:40

   北京时间6月5日消息,IBM宣布,摩尔定律并未终止,5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管。相比较之下,当前10nm的骁龙835仅仅集成的晶体管数量约为30亿。

IBM攻克5nm晶体管难题:手机续航提升3倍
IBM攻克5nm晶体管难题(图片来自baidu)

    IBM强调,同样封装面积晶体管数量的增大有非常多的好处,比如降低成本、提高性能,而且非常重要的一点是,5nm加持下,现有设备如手机的电池寿命将提高2至3倍。

    根据早前资料,业内很多人士都表示5nm可能是物理极限。但是IBM并不这么认为,其描述的(22纳米制程芯片上的) 10纳米厚度SiBCN与SiOCN间隔介质性能如何超越SiN,以及在7纳米制程测试芯片采用6纳米厚度绝缘介质的实验。

    IBM打算在14纳米制程节点(已经于GlobalFoundries生产)导入SiBCN绝缘体,而SiOCN将在7纳米节点采用;Stathis透露,IBM期望可在5纳米节点使用终极绝缘体──气隙(air gap)。

(来源:中关村在线)

(编辑:曾婷)